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TVS新型封装CSP

2020-07-30

TVS 的简介


第一代TVS主要以3寸,4寸晶圆流片为主,大封装形式(SMA,SMB,SMC.SMD), 这种产品主要是功能性的,产品的漏电电流大,击穿电压不稳,良率低,钳位电压高,电容大等问题;第二代TVS主要以5寸,6寸晶圆流片为主,以打线封装为主(DFN,SOT,SOD,SOP), 这种产品是目前应用的较多的一种,产品的漏电电流小,击穿电压稳定,良率高,钳位 电压一般,电容有低容,普容和高容,6寸可以做回扫型ESD产品;第三代TVS主要以8寸晶圆流片为主,以CSP晶圆级封装为主(DFN),这种产品是高性能的ESD,采用8寸的先进制造工艺,稳定控制产品的各种参数,具有漏电电流小, 击穿电压稳定,良率高,钳位电压低,电容有低容,普容和高容;做回扫型ESD产品性能更优,CSP晶圆级封装可以提高产品性能。

接下来我们来分享常规ESD和回扫型ESD特性区别。

 

常规ESD特性曲线图                          回扫型ESD曲线图

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从以上图片可以看出两者的区别,回扫型ESD最大的特点是在电压到达VT1触发电压后,瞬间把ESD两端的钳位电压拉低到工作电压VRWM和触发电压VT1之间,这个电压称为Vh,之后随着电流的增加电压逐渐增大。回扫ESD的特性就是在IPP一样的情况下,VC钳位电压比常规的ESD器件低30%以上,做到提前释放能量,极大的保护了IC乃至整个电路的安全。下面给大家重点介绍回扫型ESD的新型封装技术CSP:

 

TVS新型封装CSP


CSP封装的概念: Chip Scale Package 芯片级封装 (晶圆级封装)

WLP (WLP,Wafer Level Package)一般定义为直接在晶圆上进行大多数或全部 的封装与测试,之后再进行切割(singulation )制成单颗组件的技术。而RDL、 bumping、copper pillar、TSV等技术是WLP的关键技术。

 

新型封装CSP与传统封装对比


传统框架类封装:


 

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关键技术: 划片上芯; 打线; 塑封; 切割;

 

CSP连接方式:

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关键技术: 硅通孔技术; 焊料隆起技术; 铜柱隆起; 重布线;

 

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CSP封装优势

 

ü 封装尺寸更小,功率更大

ü 体积更小,设计更灵活

ü 无框架载体,寄生参数小

ü 散热好

ü 先进制程,成品率高

ü 高可靠性,高生产效率

 

微小型CSP封装 适合TVS,diodes,schottky,主流尺寸在0.6mmx0.3mm , 0.4mmx0.2mm的CSP封装

 

优势产品推荐


带回扫ESD

JUB05CD2:  5V双向, DFN1006-2封装, 体积小,15pf,8A,IPP高,VC低,阻抗小,带回扫。

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JUB 12CD2:  12V双向, DFN1006-2封装, 体积小,8pf,9A,VC低,阻抗小,带回扫。


大功率ESD

JGUB12D2:  12V单向, DFN1006-2封装, 体积小,功率大,阻抗小。

JES1211P1: 12V单向, DFN1006-2封装, 体积小,功率大,阻抗小。

 

大功率带回扫ESD

CSPJB0511D2:  5V双向, DFN1006-2封装, 体积小,100A,IPP高,VC低,阻抗小,带回扫。



大功率ESD

JGUB12D2:  12V单向, DFN1006-2封装, 体积小,功率大,阻抗小。

JES1211P1: 12V单向, DFN1006-2封装, 体积小,功率大,阻抗小。

 

大功率带回扫ESD

CSPJB0511D2:  5V双向, DFN1006-2封装, 体积小,100A,IPP高,VC低,阻抗小,带回扫。